BZT52B2V7-HE3-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-HE3-18
| Artikelnummer: | BZT52B2V7-HE3-18 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE ZENER 2.7V 410MW SOD123 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-HE3-18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZT52B2V7-HE3-18.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Zener (Nom) (Vz) 2.7 V Toleranz ±2% Supplier Device-Gehäuse SOD-123 Serie Automotive, AEC-Q101, BZT52 Leistung - max 410 mW Verpackung / Gehäuse SOD-123 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Impedanz (Max) (Zzt) 83 Ohms Grundproduktnummer BZT52B2V7 BZT52B2V7-HE3-18 Einzelheiten PDF [English] BZT52B2V7-HE3-18 PDF - EN.pdf -
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